在高壓開關柜中，SF6氣體充滿內(nèi)部腔體充當絕緣介質(zhì)，在局部放電故障中，除少數(shù)絕緣子出現(xiàn)氣隙缺陷造成放電外，大部分的局部放電現(xiàn)象都發(fā)生在SF6氣體中，其主要機理是氣體介質(zhì)出現(xiàn)了帶電的質(zhì)點，由于帶電質(zhì)點的產(chǎn)生、消失是一個過程，只有當質(zhì)點引起的電場強度增加到一定程度后，才會釋放能量引發(fā)局部放電。在高壓開關柜的SF6氣體中，帶電的質(zhì)點是氣體分子在電離過程中產(chǎn)生的，包括碰撞引起的電力、光電效應引起的離和熱電離。

在高壓開關柜的內(nèi)部，電場是類似同軸圓柱電極或者雙圓柱電極分布的，內(nèi)、外兩個電極的曲率半徑相當，內(nèi)外電極間的距離一般在幾十到上百毫米左右，在絕緣性能良好的情況下，高壓開關柜的內(nèi)部電場是一個基本均勻的電場。當高壓開關柜的內(nèi)部出現(xiàn)絕緣缺陷時，開關柜內(nèi)部電場會出現(xiàn)畸變，在部分區(qū)域電場將相對集中，會出現(xiàn)極不均勻的電場。在極不均勻的電場中有可能出現(xiàn)放電，這一過程分為電暈放電、先導放電和主放電等三個不同的階段，放電過程是逐級發(fā)展的。當SF6氣體間隙上存在的電場足夠強時，場強集中區(qū)域的電場強度有可能大于局部放電的臨界場強Ecr/p=89kV/(MPa2mm)，此時由負離子產(chǎn)生的電子逐漸增加，會導致電子崩現(xiàn)象的出現(xiàn)。當電子崩的前端集聚了大量電子和離子時，這一區(qū)域的電場強度將進一步增強，氣體分子電離及復合會加劇，同時產(chǎn)生大量光子，氣體在光子作用下會出現(xiàn)光致電離，形成比較復雜的流注放電現(xiàn)象。

當pd值大于1MPa2mm時(此時p的取值對應高壓開關柜中氣體壓力0.4-0.8MPa，距離d的取值范圍在1.25-2.5mm)，氣體間隙的擊穿過程就是SF6氣體間隙先導電流形成、發(fā)展的過程。此時局部放電的過程分為三個過程，分別是流注電暈的爆發(fā)、流注電流向先導電流的轉(zhuǎn)變、先導電流的發(fā)展和擊穿。當高壓開關柜中場強集中區(qū)域的流注電暈發(fā)展到一定程度時，電暈的形狀接近橢球體，在電暈中存在大量空間電荷，將導致電暈外的電場出現(xiàn)畸變，會對電場產(chǎn)生一定的減弱效應，此時放電區(qū)域內(nèi)的電子將迅速附著于SF6氣體分子上，放電區(qū)域內(nèi)將形成正、負空間電荷，流注電暈產(chǎn)生的電流將持續(xù)向電離區(qū)域注入能量，流注電暈將逐漸向先導電流轉(zhuǎn)變，這一轉(zhuǎn)變過程中有兩種運動：第一，隨著電暈電流向流注區(qū)域注入能量的不斷增加，將引起放電區(qū)域氣體的熱膨脹；第二，放電區(qū)域內(nèi)的正負離子，會出現(xiàn)向相反方向的緩慢移動。

基于這兩種不同的運動，將產(chǎn)生兩種放電，分別是莖先導放電和前驅(qū)機理放電。在高壓開關柜的內(nèi)部，形成一個先導區(qū)域后，在先導區(qū)前部出現(xiàn)的流注電暈經(jīng)過一定的時延，將逐漸由流注轉(zhuǎn)變?yōu)橄葘?，會形成一段新的先導區(qū)域，新先導在頭部又會出現(xiàn)流注電暈，這一過程在放電區(qū)域?qū)⒎磸瓦M行，先導將逐漸向前方發(fā)展，最終先導會觸及對面的電極，導致氣體被擊穿。在上述放電過程中，流注電暈轉(zhuǎn)變?yōu)橄葘呛诵牟襟E，這一過程會受到莖先導機理和前驅(qū)機理的影響。其中，莖先導機理指己經(jīng)形成流注電暈后，電暈產(chǎn)生的電流持續(xù)向流注區(qū)域注入能量，通道區(qū)域因能量的注入溫度升高，出現(xiàn)熱膨脹，氣體的密度逐步降低、臨界場強下降，先導前方將出現(xiàn)流注電暈，逐漸發(fā)展為新的先導區(qū)域，最終形成貫通擊穿。

在SF6氣體區(qū)域放電逐漸發(fā)展的過程中，如果外加的電壓、電場和氣體壓力等要素無法滿足先導發(fā)展的條件，就不會出現(xiàn)擊穿貫通，放電現(xiàn)象將停止。需要注意的時，此時雖然沒有出貫通性擊穿，但局部放電己經(jīng)表明高壓開關柜的內(nèi)部存在絕緣缺陷，需要重視并加以解決。